Государственной комиссией рассмотрены дополнительные меры по противодействию незаконному обороту промышленной продукции

Первый заместитель Председателя Правительства Денис Мантуров провёл заседание Государственной комиссии по противодействию незаконному обороту промышленной продукции. В мероприятии приняли участие глава Минпромторга Антон Алиханов, глава Минсельхоза Оксана Лут, глава Минтранса Роман Старовойт, а также главы регионов, представители федеральных органов исполнительной власти и бизнес-сообщества. В ...

С 1 марта вступили в силу новые требования по маркировке товаров

С 1 марта в России введена обязательная маркировка средствами идентификации новых товарных позиций: - консервированная продукция из мяса, мясных субпродуктов, овощей и фруктов, а также грибов и ягод; - влажные корма для животных; - медицинские перчатки; - дезинфицирующие средства для поверхностей; - детская одежда, чулочно-носочные изделия, нижнее белье и иные товары легкой промышле...

Новая программа субсидируемого льготного лизинга строительно-дорожной и коммунальной техники начала действовать с 1 апреля

Начала действовать программа льготного лизинга коммунальной и строительно-дорожной техники, разработанная Минпромторгом России и госкомпанией ДОМ.РФ. В качестве одной из ключевых антикризисных мер данный инструмент поддержит отечественных производителей техники, расширит возможности для обновления парка таких машин в субъектах Российской Федерации и стимулирует привлечение частных инвестиций в эко...

31 марта на Камчатке начал работу Международный аэропорт «Петропавловск-Камчатский (Елизово)»

Все межрегиональные и межмуниципальные рейсы с этого дня обслуживаются в современном аэровокзальном комплексе, который был построен компанией «Международный аэропорт Петропавловск-Камчатский (Елизово)» в статусе резидента территории опережающего развития (ТОР) «Камчатка» при поддержке Корпорации развития Дальнего Востока и Арктики (КРДВ). Использование преференциального режима ТОР и государственны...

Предложения о развитии арктических преференций выдвинули на Международном арктическом форуме

В рамках Международного арктического форума, проходящего 26–27 марта в Мурманске, состоялась сессия «Особый режим: преференции для арктического бизнеса». Участники обсудили меры государственной поддержки инвестиционных проектов в Арктике, проанализировали эффективность действующих преференциальных режимов и представили предложения по их совершенствованию. Особое внимание было уделено возможн...

Минпромторг России прорабатывает дополнительные механизмы поддержки отечественных производителей детских товаров

Заместитель Министра промышленности и торговли Российской Федерации Иван Куликов выступил на пресс-конференции в преддверии XV юбилейного Конгресса индустрии детских товаров, где главной темой станет реализация «дорожной карты» развития отрасли до 2030 года. Иван Куликов сообщил, что на сегодняшний день отрасль представляют около 1,8 тысячи промышленных предприятий. За 2024 год, по экспертным о...

Государственной комиссией рассмотрены дополнительные меры по противодействию незаконному обороту промышленной продукции

Первый заместитель Председателя Правительства Денис Мантуров провёл заседание Государственной комиссии по противодействию незаконному обороту промышленной продукции. В мероприятии приняли участие глава Минпромторга Антон Алиханов, глава Минсельхоза Оксана Лут, глава Минтранса Роман Старовойт, а также главы регионов, представители федеральных органов исполнительной власти и бизнес-сообщества. В ...

С 1 марта вступили в силу новые требования по маркировке товаров

С 1 марта в России введена обязательная маркировка средствами идентификации новых товарных позиций: - консервированная продукция из мяса, мясных субпродуктов, овощей и фруктов, а также грибов и ягод; - влажные корма для животных; - медицинские перчатки; - дезинфицирующие средства для поверхностей; - детская одежда, чулочно-носочные изделия, нижнее белье и иные товары легкой промышле...

Новая программа субсидируемого льготного лизинга строительно-дорожной и коммунальной техники начала действовать с 1 апреля

Начала действовать программа льготного лизинга коммунальной и строительно-дорожной техники, разработанная Минпромторгом России и госкомпанией ДОМ.РФ. В качестве одной из ключевых антикризисных мер данный инструмент поддержит отечественных производителей техники, расширит возможности для обновления парка таких машин в субъектах Российской Федерации и стимулирует привлечение частных инвестиций в эко...

31 марта на Камчатке начал работу Международный аэропорт «Петропавловск-Камчатский (Елизово)»

Все межрегиональные и межмуниципальные рейсы с этого дня обслуживаются в современном аэровокзальном комплексе, который был построен компанией «Международный аэропорт Петропавловск-Камчатский (Елизово)» в статусе резидента территории опережающего развития (ТОР) «Камчатка» при поддержке Корпорации развития Дальнего Востока и Арктики (КРДВ). Использование преференциального режима ТОР и государственны...

29 Августа 2009

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления

Автoры: Арбузoв Юрий Дмитриевич, Евдoкимoв Владимир Михайлoвич, Стребкoв Дмитрий Семенoвич, Шепoвалoва Ольга Вячеcлавoвна.

Изoбретение oтнocитcя к электрoннoй технике, а именнo к прибoрам, преoбразующим энергию электрoмагнитнoго излучения в электричеcкую, и технологии их изготовления, в чаcтноcти к полупроводниковым фотоэлектричеcким генераторам. Полупроводниковый фотоэлектричеcкий генератор cодержит подложку, полупроводниковые cлои, проcветляющее покрытие, металличеcкие контакты. При этом cоглаcно изобретению на лицевой cтороне генератора раcположено множеcтво оcажденных cлоев, образующих диодные планарные n+-р-р+ или р+-n-n+, или n-р cтруктуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области. Толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале. Также предложен способ изготовления фотоэлектрического генератора описанной выше конструкции. Изобретение обеспечивает увеличение выходного напряжения и повышение эффективности преобразования концентрированного излучения.

В способе изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора, включающем создание структуры с n-р переходом на полупроводниковой подложке, металлизацию, нанесение просветляющего покрытия, путем последовательного осаждения на лицевой стороне генератора создают множество полупроводниковых слоев толщиной 10 нм-10 мкм, образующих диодные планарные n+-р-р+ или р+-n-n+, или n-р структуры, при этом один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщины диодных структур в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале, на полученную многослойную планарную матрицу подают импульсное напряжения, пробивают обратносмещенные переходы, образуя последовательное соединенные структуры по направлению распространения излучения.

Пример конкретного выполнения.

Фотоэлектрический генератор представляет собой множество эпитаксиальных слоев толщиной 10 нм - 10 мкм, образующих планарные структуры с n+-р-р+ переходами, на полупроводниковой подложке из кремния n-типа марки КДБ 0,5(0.1) с пробитыми обратносмещенными р+-n переходами, с отражающим покрытием в виде нитрида кремния типа SixNy или Та2O5, причем последний эффективно использовать, т.к. Та2O5 имеет высокое пропускание в УФ-диапазоне, с металлическими контактами из слоев никеля-меди-олова.

Пример изготовления фотогенератора.

На подложке из кремния n-типа марки КДБ 0,5(0.1) йонно-молекулярной эпитаксией создают многослойную эпитаксиальную n-р-n- -р структуру из 2-100 структур с n-р переходами, проводя поочередно легирование бором и фосфором, при этом толщина слоев 10 нм ÷ 10 мкм.

Металлизацию осуществляют напылением в вакууме или химическим осаждением металла. Полученные заготовки шлифуют и протравливают в растворе состава HF:HNO3=1:2 при комнатной температуре в течение 10-20 секунд для снятия шунтов, тщательно промывают, сушат.

Далее на матрицы заготовки подают импульсное напряжение величиной 0,5-1,2 В на один р-n переход при емкости 1,5·10-2-10·10-2Ф и пробивают обратносмещенные переходы, создавая последовательное соединение планарных структур.

Затем на рабочей поверхности формируют просветляющее покрытие: например, покрывают при нагревании пленкой нитрида кремния типа SixNy осаждением из парогазовой фазы, содержащей моносилан и азот. Облуживают припоем ПОС-60, присоединяют токоотводы.

В результате получается конструкция фотоэлектрического генератора, представленная на фиг.1.

Формула изобретения

1. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий подложку, полупроводниковые слои р-типа и n-типа, просветляющее покрытие, металлические контакты, отличающийся тем, что на лицевой стороне генератора расположено множество осажденных слоев, образующих диодные планарные n+-р-р+, или р+-n-n+, или n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения, один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональна максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале.

2. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что просветляющее покрытие расположено также и на торцах, а рабочая поверхность, на которую поступает дополнительное излучение, расположена, по крайней мере, еще на одной поверхности генератора.

3. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем создания осаждением структуры с n-р переходом на полупроводниковой подложке, металлизации, нанесения просветляющего покрытия, отличающийся тем, что путем последовательного осаждения на лицевой стороне генератора создают множество полупроводниковых слоев толщиной 10 нм - 10 мкм, образующих диодные планарные n+-р-р+, или р+-n-n+, или n-р структуры, при этом один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщины диодных структур в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале, на полученную многослойную планарную матрицу подают импульсное напряжение, пробивают обратносмещенные переходы, образуя последовательно соединенные структуры по направлению распространения излучения.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что просветляющее покрытие наносится также и на торцевые поверхности.

5. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что множество слоев создают путем проведения последовательной эпитаксии.

Кол-во просмотров: 15059
Яндекс.Метрика