Команда ученых из Национального университета Сингапура (NUS), возглавляемая адъюнкт-профессором инженерного факультета, Яном Хюнсу (Yang Hyunsoo), разработала новую технологию интеграции быстродействующего чипа магнитной памяти на гибкую пластиковую подложку.
Статья, посвященная этому достижению, была подготовлена при содействии Университета Ёнсe (Корея), Сингапурского Института материаловедения и Гентского университета (Бельгия) и 6 июля вышла в журнале Advanced Materials.
Новое устройство это магниторезистивная память произвольного доступа (MRAM), в которой для хранения данных используется магнитный туннельный переход (magnetic tunnel junction, MTJ) на базе оксида магния. MRAM превосходит традиционную оперативную память RAM во многих отношениях, включая энергонезависимость, высокую скорость обработки данных и малое энергопотребление.
Авторы сначала вырастили MTJ на поверхности кремния, после чего вытравили кремниевую основу, а оставшуюся магнитную память перенесли на пластиковую подложку из полиэтилентерефталата (PET).
.jpg)
Подчеркивая важность этого достижения, профессор Ян заявил: "Мы первые кому удалось изготовить магнитную память на гибкой поверхности. Это побуждает нас к продолжать совершенствовать производительность магнитной памяти и вносить вклад в революцию гибкой электроники".
Авторы запатентовали свою технологию в США и Корее и заинтересованы в привлечении промышленных партнеров к изучению возможностей ее прикладного использования.
По материалам NanoNewsNet
