ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Связь 5G запущена в России

Москва, 11 сентября 2026 года — По поручению Президента Владимира Путина впервые в России запущены коммерческие сети связи пятого поколения. На первом этапе сервисы 5G заработали в 16 городах, доступ к высокоскоростному мобильному интернету пятого поколения получили около 10 млн человек. Услуги на базе 5G будут предоставлять операторы «большой четвёрки». В запуске нового стандарта на пло...

«Росатом» выступит партнером Вьетнама в области квантовых технологий

«Росатом» и Вьетнамская академия наук и технологий намерены развивать партнерство в области квантовых технологий. В ходе серии двусторонних встреч обсуждены контуры сотрудничества, включая проектирование долгосрочной дорожной карты развития квантового направления в Социалистической Республике Вьетнам, организацию исследований и подготовку соответствующих кадров. Об этом рассказала директор по к...

Ростех запускает первый в России промышленный маркетплейс для гражданской продукции

Госкорпорация Ростех представила единый цифровой портал PCAT.ru, предназначенный для продвижения отечественной гражданской продукции на внутреннем рынке. Платформа даёт производителям возможность размещать свои изделия, подбирать готовые решения и выстраивать полные производственные цепочки. Особое внимание уделяется ускорению поиска российских поставщиков в рамках импортозамещения – на сего...

200 лет Пролетарскому заводу ОСК: от первых пароходов к двигателям для крупнотоннажного флота

7 сентября 2026 года предприятию ОСК Пролетарский завод исполняется 200 лет со дня основания .Это одно из старейших промышленных предприятий России . Двухвековой юбилей завод встречает на этапе масштабной технической модернизации, расширения компетенций в области судового и энергетического машиностроения и подготовки к выпуску отечественных малооборотных двигателей большой мощности. ОСК рассмат...

Президент России наградил коллектив Амурского судостроительного завода ОСК орденом Александра Невского

1 сентября, на площадке предприятия ОСК Амурский судостроительный завод прошла торжественная церемония вручения высокой государственной награды – ордена Александра Невского. Этим орденом предприятие отмечено за весомый вклад в развитие отечественного судостроения и выдающиеся трудовые достижения. Награду коллективу вручил помощник Президента России, председатель Морской коллегии Николай Патр...

В России утвердили условия запуска 5G

В Минцифры состоялось заседание Государственной комиссии по радиочастотам (ГКРЧ), на котором было принято решение, определяющее развитие сетей пятого поколения в России. Знакомим с основными условиями внедрения нового стандарта мобильной связи. Можно использовать действующие частоты и oборудование Операторы связи «Билайн», «Мегафон», МТС и Т2 смогут разворачивать сети 5G в уже имеющихся у ни...

11 Декабря 2009

Светодиодная матрица

Светодиодная матрица

Автoр: Щербакoв Валентин Никoлаевич.

Изoбретение oтнocитcя к электрoннoй технике и мoжет быть иcпoльзoванo при прoизвoдcтве ocветительных и cигнальных уcтрoйcтв. Светoдиoдная матрица (СМ) coдержит пoлупроводниковые cветодиоды 1 c электричеcкими контактами 2, закрепленные на оcновании 3, выполненном cо cквозными уcтановочными отверcтиями 4. СМ cодержит крышку 6 из прозрачного материала, укрепленную на оcновании, которая выполнена c не менее чем двумя фиксирующими штырями 7 на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями 4 в основании 3. СМ выполнена с выступающими линзами 8 на поверхности крышки 6, противоположной поверхности, соединенной с основанием 3, которые сформированы с полостями 9 на поверхности, соединенной с основанием 3, и штырями 7, совпадающими со сквозными установочными отверстиями 4 в основании 3. Каждая полость 9 покрывает один или несколько светодиодов 1 с их электрическими контактами 2 и содержит светопроводящую среду 10, которая содержит частицы светорассеивающего вещества и частицы люминофора. Каждая полость 9 сообщается с окружающей средой через одно или несколько дополнительных сквозных отверстий 11 в основании 3 для заполнения полостей светопроводящей средой 10. Минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу. Техническим результатом, который обеспечивается изобретением, является равномерное распределение излучения в заданном диапазоне длин волн на выходе устройства. 2 ил.
Инновация относится к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при производстве осветительных и сигнальных устройств.

Светодиодные матрицы (СМ) широко используются в промышленности. СМ применяются в светофорах, устройствах бытового освещения и т.д. Высокие эксплуатационные параметры CM - оптическая мощность излучения, коэффициент преобразования электрической энергии в световую, высокая надежность и низкая себестоимость делают эти источники света весьма перспективными. Во многих случаях требуются СМ с широкой гаммой цветов и оттенков светового потока, включая белый и полноцветный.

Техническим результатом предложенного изобретения является формирование равномерной диаграммы направленности излучения в заданном диапазоне длин волн.В светодиодной матрице, содержащей не менее двух полупроводниковых светодиодов с электрическими контактами, установленных на основании, и крышку из прозрачного материала, укрепленную на основании, крышка выполнена с не менее чем двумя фиксирующими штырями на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями в основании, на противоположной стороне крышки сформировано не менее двух линз с полостями, границы которых совпадают с поверхностью крышки, обращенной к основанию, каждая полость покрывает не менее одного светодиода с электрическими контактами и содержит светопроводящую среду, минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу, при этом каждая полость сообщается с окружающей средой не менее чем через одно сквозное отверстие, выполненное в основании для заполнения полости светопроводящей средой. При этом светопроводящая среда может дополнительно содержать частицы люминофора и частицы светорассеивающего вещества.

На фиг.1 представлен вид светодиодной матрицы сверху.

На фиг.2 представлен боковой разрез светодиодной матрицы.

Светодиодная матрица содержит полупроводниковые светодиоды 1 с электрическими контактами 2, закрепленные на основании 3, изготовленном из материала с высокой теплопроводностью и выполненном со сквозными установочными отверстиями 4, светодиоды 1 могут быть также приклеены с помощью электропроводящего клея к слою металла 5, покрывающему основание, на котором может быть сформирована топология разводки контактов светодиодов. СМ содержит крышку 6 из прозрачного материала, укрепленную на основании, крышка 6 выполнена с не менее чем двумя фиксирующими штырями 7 на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями 4 в основании 3. CM выполнена с выступающими линзами 8 на поверхности крышки 6, противоположной поверхности, соединенной с основанием 3, которые сформированы с полостями 9 на поверхности, соединенной с основанием 3, и юстировочными штырями 7, совпадающими со сквозными установочными отверстиями 4 в основании 3, при этом каждая полость 9 покрывает один или несколько светодиодов 1 с их электрическими контактами 2 и содержит светопроводящую среду 10, которая может содержать частицы светорассеивающего вещества и/или частицы люминофора. Каждая полость 9 сообщается с окружающей средой через одно или несколько дополнительных сквозных отверстий 11 в основании 3 для заполнения полостей светопроводящей средой 10.

С целью формирования однородной диаграммы направленности излучения светодиодов 1 в заданном диапазоне длин волн в светопроводящую среду, которая после полимеризации является преимущественно эластичной, равномерно вносят частицы светорассеивающего вещества и/или частицы люминофора. Заполнение полостей СМ, выполненных таким образом, что минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу, позволяет создавать такой слой светопроводящей среды, что рассеяние излучения всех точек поверхностей светодиодов 1 и его переизлучение частицами люминофора в заданном диапазоне длин волн наиболее равномерно.

С целью более эффективного использования излучения боковых поверхностей светодиодов 1 части 12 крышки 6, соединенные с основанием, и формирующие полости могут быть выполнены в виде усеченного тела вращения, плоскость поперечного сечения которого совпадает с поверхностью основания. Поверхности частей 12 крышки 6, соединенные с основанием 3, формируются таким образом, чтобы излучение боковых поверхностей светодиодов 1, прошедшее через светопроводящую среду 10 в полости 9, испытывало на границе соприкосновения поверхности крышки 6 с окружающей средой полное внутреннее отражение.

Несколько дополнительных сквозных отверстий 10 в основании 3, соединяющих полости 9 с окружающей средой, выполнены для полного и равномерного заполнения полостей светопроводящей средой 10. В случае соединения полости 9 с окружающей средой одним дополнительным отверстием 10, часть его границы на поверхности основания, соединенной с крышкой 6, предпочтительно совпадает с границей полости 9 в плоскости, совпадающей с плоскостью, в которой лежит поверхность основания 3, соединенная с крышкой 6, или располагается вблизи этой границы. Неравномерность распределения светопроводящей среды 10 вокруг светодиодов 1, а также наличие в ней пузырьков газа, является одним из существенных факторов, нарушающих равномерное распределение излучения на выходе аналогичных устройств.

В состав светопроводящей среды 10, с целью равномерного распределения излучения на выходе устройства, могут включаться светорассеивающие частицы, например, мелкодисперсные частицы SiO2. Указанные частицы с той же целью могут также включаться в материал крышки.

Для формирования спектра в необходимом диапазоне в светопроводящую среду могут быть введены частицы люминофора, например, на основе граната.

С целью увеличения отвода тепла от светодиодов 1 поверхности котировочных штырей 7 и установочных отверстий 4 могут быть покрыты слоем металла. Указанная металлизация котировочных штырей 7 может быть также использована для соединения с источником электропитания при соответствующем их расположении относительно топологии разводки контактов светодиода.
Устройство работает следующим образом.


При пропускании прямого тока через светодиоды в нем инжектируются неравновновесные носители, которые рекомбинируют с выделением фотонов видимого спектра излучения. Излучение боковых поверхностей собирается за счет полного внутреннего отражения в заданный угол. Наличие рассеивающих излучение частиц в светопроводящей среде (SiO2 или SiO2 + люминофор) позволяет формировать равномерную диаграмму направленности излучения в заданном диапазоне длин волн.

 

Кол-во просмотров: 18807
Яндекс.Метрика