ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Власть и бизнес обсудят актуальные вопросы промышленности на XVI Национальном конгрессе «Модернизация промышленности России: приоритеты развития»

5 и 6 октября 2021 года в Центре цифрового лидерства состоится XVI Национальный конгресс «Модернизация промышленности России: приоритеты развития». Национальный конгресс входит в перечень основных мероприятий Года науки и технологий, утвержденных Правительством Российской Федерации. Ключевая тема мероприятия в 2021 году – «Комплексная модернизация отраслей промышленности». В программе Нац...

В Якутске к 2025 году построят Парк будущих поколений стоимостью 1,5 млрд рублей за счет инвестора

В Якутске до 2025 года появится Парк будущих поколений для создания городской экосистемы полезного досуга, творческого, интеллектуального, духовного и физического развития детей и молодежи. Комплекс будет построен на территории 2,4 га. Планируемый объем вложений в проект составит около 1,5 млрд рублей. Соответствующее соглашение подписали инвестиционно-строительная фирма «Дирекция по строительс...

На Байконуре идет активная подготовка нескольких транспортных кораблей

В монтажно-испытательном корпусе площадки № 254 космодрома Байконур начался заключительный этап испытаний транспортного грузового корабля «Прогресс МС-18», который оставался в режиме хранения на техническом комплексе с августа 2020 года. Он стал третьим космическим кораблем разработки и производства Ракетно-космической корпорации «Энергия», проходящим предстартовую подготовку вместе с пилотируемым...

Минвостокразвития, Якутия и Росатом подписали соглашение о безуглеродной атомной генерации

На площадке Восточного экономического форума Министерство по развитию Дальнего Востока и Арктики, Республика Саха (Якутия) и Госкорпорация «Росатом» подписали соглашение о реализации проекта безуглеродной атомной генерации в арктической зоне Республики Саха (Якутия), где будет построена первая наземная атомная станция малой мощности (АСММ). Свои подписи под соглашением поставили Министр по разв...

Опорный банк Ростеха направит 10 млрд. рублей на импортозамещение электронной компонентной базы

Дочерние структуры Ростеха – Новикомбанк и АО "Объединенная приборостроительная корпорация" (управляющая компания холдинга "Росэлектроника") – заключили соглашение об организации финансирования инвестпроектов в рамках программы импортозамещения электронной компонентной базы. На эти цели будет направлено 10 млрд рублей. Документ подписан в ходе Международного военно-технического форума ...

Правительство Российской Федерации запустило механизм господдержки проектов создания частных индустриальных парков и промышленных технопарков

Частные инвесторы смогут компенсировать до 50 процентов затрат на создание индустриального парка или промышленного технопарка. Соответствующее постановление подписано Председателем Правительства Российской Федерации Михаилом Мишустиным. "Создание новых современных производств невозможно без наличия в регионах площадок с подготовленной коммунальной, транспортной и технологической инфраструктурой...

3 Апреля 2015

Micron и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND

Micron и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND

Технология 3D NAND использует ячейки с плавающим затвором и позволяет создавать флеш-накопители с самым высоким уровнем плотности размещения ячеек, обеспечивая в 3 раза более высокую емкость по сравнению с другой памятью NAND.

Новая разработка позволяет создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки емкостью более 3,5 ТБайт и стандартные твердотельные накопители форм-фактора 2,5 дюйма емкостью более 10 ТБайт.

Новая методика проектирования позволяет сохранить актуальность закона Мура для флеш-накопителей, повышая плотность размещения и снижая стоимость памяти NAND.

БОЙСЕ (Айдахо) и САНТА-КЛАРА (Калифорния), 26 марта 2015 г. – Micron Technology, Inc. и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память – это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве.

Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.

«Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти».

«Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».

Инновационная архитектура технологического процесса

Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.

Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Т.к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.

Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:

Увеличенная емкость. В 3 раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D 1 – до 48 ГБайт памяти NAND на кристалл – для реализации 75% одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.

Более низкая стоимость на 1 ГБайт. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.

Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.

Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).

Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.

Пресс-релиз

Кол-во просмотров: 9464
На правах рекламы