ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Минпромторгом России утверждены изменения в Перечене продукции для параллельного импорта

Минпромторг России внес очередные изменения в перечень товаров, в отношении которых не применяются требования о защите интеллектуальных прав со стороны правообладателей (патентообладателей), и, которые были введены в оборот за пределами территории Российской Федерации. Механизм параллельного импорта действует уже более двух лет и за это время доказал свою эффективность, позволив обеспечить потр...

Строительство малой атомной станции в Якутии включено в новый президентский нацпроект

Проект строительства малой атомной станции в Усть-Янском районе Якутии стал частью национального проекта в области технологического лидерства «Новые атомные и энергетические технологии». Атомная станция малой мощности (АСММ) с реакторной установкой Ритм-200Н, расположенная рядом с поселком Усть-Куйга, будет играть ключевую роль в развитии Арктической зоны Якутии. Завершение строительства планирует...

Компания АЛРОСА добыла в Якутии 260-каратный алмаз на месторождении Эбелях

Компания «Алмазы Анабара», входящая в группу АЛРОСА, в конце лета 2024 года добыла на месторождении Эбелях, расположенном в Анабарском районе Республики Саха (Якутия), крупный алмаз ювелирного качества весом 262,5 карата. Это прозрачный монокристалл с единичными включениями графит-сульфида и легкими следами ожелезнения, характерный для данного месторождения. Находка была сделана ночью во время про...

Об изменении механизма предоставления промышленных субсидий производителям колесных транспортных средств

Минпромторгом России подготовлен проект постановления, предусматривающий признание утратившими силу постановлений Правительства Российской Федерации от 30 июня 2022 года №1176 и от 15 января 2024 №31. Данные изменения разработаны с целью исполнения пункта 4 постановления Правительства Российской Федерации от 25 октября 2023 года №1780. Согласно его положениям нормативно-правовые акты, регулирую...

Правительство упростило правила аккредитации ИТ-компаний

Ещё больше компаний смогут претендовать на ИТ-аккредитацию, а процесс её подтверждения станет удобнее. Соответствующие изменения приняло Правительство. Что меняется для малых технологических компаний, созданных менее 3 лет назад, отменяется критерий по проверке доли дохода от ИТ-деятельности ИT-компании из новых регионов смогут получить аккредитацию независимо от среднемесячного размера в...

В Правительстве России прошла стратсессия по транспортной мобильности

Председатель Правительства Российской Федерации Михаил Мишустин провел стратегическую сессию по национальному проекту «Промышленное обеспечение транспортной мобильности». В заседании, на котором обсудили вопросы развития промышленного потенциала для выполнения поставленных Президентом задач по улучшению транспортной мобильности, принял участие Министр промышленности и торговли Российской Федераци...

3 Апреля 2015

Micron и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND

Micron и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND

Технология 3D NAND использует ячейки с плавающим затвором и позволяет создавать флеш-накопители с самым высоким уровнем плотности размещения ячеек, обеспечивая в 3 раза более высокую емкость по сравнению с другой памятью NAND.

Новая разработка позволяет создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки емкостью более 3,5 ТБайт и стандартные твердотельные накопители форм-фактора 2,5 дюйма емкостью более 10 ТБайт.

Новая методика проектирования позволяет сохранить актуальность закона Мура для флеш-накопителей, повышая плотность размещения и снижая стоимость памяти NAND.

БОЙСЕ (Айдахо) и САНТА-КЛАРА (Калифорния), 26 марта 2015 г. – Micron Technology, Inc. и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память – это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве.

Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.

«Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти».

«Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».

Инновационная архитектура технологического процесса

Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.

Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Т.к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.

Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:

Увеличенная емкость. В 3 раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D 1 – до 48 ГБайт памяти NAND на кристалл – для реализации 75% одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.

Более низкая стоимость на 1 ГБайт. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.

Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.

Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).

Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.

Пресс-релиз

Кол-во просмотров: 14289
Яндекс.Метрика