ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Утверждена разработанная Росатомом и Ростехом дорожная карта по развитию высокотехнологичной области «Новые производственные технологии»

Дорожная карта по развитию высокотехнологичной области «Новые производственные технологии», разработанная Госкорпорацией «Росатом» совместно с Госкорпорацией Ростех, была утверждена 23 июля 2021 года президиумом Правительственной комиссии по цифровому развитию, использованию информационных технологий для улучшения качества жизни и условий ведения предпринимательской деятельности. Дорожная карта...

В России запущен онлайн-сервис «Готов к цифре»

В рамках национальной программы «Цифровая экономика» Минцифры России и консорциум по развитию цифровой грамотности запускают образовательный ресурс готовкцифре.рф. Новый портал является агрегатором сервисов по тестированию уровня цифровой грамотности, обучению безопасной и эффективной работе с цифровыми технологиями. В создании ресурса приняли участие 18 компаний, которые в марте этого года объ...

Общественный транспорт сокращает интервалы движения на МАКС

АО "Авиасалон", устроитель Международных авиационно-космических салонов, накануне выходных согласовало график движения общественного транспорта с сокращёнными интервалами. Увеличение количества составов пригородных поездов Казанского направления, а также числа автобусов, курсирующих между платформами "Отдых" и "Есенинская" и выставочным комплексом, позволяет обеспечить выполнение рекомендаций Росп...

Итоги первого дня работы авиасалона МАКС-2021

Работу XV Международного авиационно-космического салона МАКС-2021 открыл Президент Российской Федерации Владимир Путин. По традиции он обратился с приветствием к организаторам, участникам и гостям Салона, осмотрел экспозиции ведущих компаний, понаблюдал за демонстрационными полётами. Выступая на торжественной церемонии открытия авиасалона, он отметил, что МАКС, несмотря на сложности, вызванные ...

Минэнерго России разработало проект постановления по модернизации и строительству тепловой генерации в неценовых зонах

Минэнерго России разработало проект постановления Правительства РФ по модернизации и (или) строительству тепловой генерации в неценовых зонах энергорынка, куда входят регионы Дальнего Востока, Калининградская и Архангельская области, Республика Коми. Соответствующий проект прошёл процедуры общественного обсуждения и направлен на согласование в профильные ведомства. Документ определяет механизмы...

Столичный экспорт во Францию вырос более чем в три раза

По итогам первого квартала 2021 года московский несырьевой неэнергетический экспорт (ННЭ) во Францию вырос более чем в три раза и достиг 48,1 миллиона долларов США. На долю Москвы в общероссийском ННЭ во Францию за этот период пришлось более 22%, сообщил заместитель Мэра Москвы по вопросам экономической политики и имущественно-земельных отношений Владимир Ефимов . «Москва и Франция системно раз...

6 Января 2010

Cпособ измерения s-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме.

Cпособ измерения s-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме.


Автoры: Ряcный Юрий Ваcильевич, Бoриcoв Алекcандр Ваcильевич, Лocкутoв Андрей Никoлаевич, Чашкoв Михаил Сергеевич.

Изoбретение oтнocитcя к технике измерения на СВЧ и мoжет быть иcпoльзoванo для измерения S-параметрoв паccивных и активных четырехпoлюcникoв СВЧ. Спocoб измерения S-параметрoв транзиcторов СВЧ в линейном режиме заключаетcя в cледующем: выделяют падающие и отраженные волны напряжений от уcтройcтва, cодержащего cобственно транзистор и держатель транзистора, измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°. При этом с помощью 12-полюсных рефлектометров измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе упомянутого устройства для двух значений разности фаз между падающими волнами. Затем транзистор удаляют из упомянутого устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора. Далее из схемы удаляют держатель транзистора, измеряют комплексные коэффициенты отражения выходов 12-полюсных рефлектометров и отношение падающих волн напряжений генератора. Полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров испытуемого транзистора и определяют S-параметры данного транзистора. Технический результат - уменьшение времени измерения и повышение точности измерения S-параметров транзисторов СВЧ. 1 ил.


Изобретение относится к технике измерения на СВЧ и может быть использовано для измерения S-параметров пассивных и активных четырехполюсников СВЧ.


Известен способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ [1], при котором измеряют падающие и отраженные от транзистора волны напряжений при изменении разности фаз между падающими волнами от 0° до 360° и определяют S-параметры как центры замкнутых контуров, вычерчиваемых в соответствии с уравнениями вида bi/ai=Sii+Sij(ai/ai), i, j=1, 2 и bi/aj=Sij+Sii(ai/aj), i, j=1, 2.


Недостатками известного способа является то, что процесс измерения требует длительного времени и измеренные S-параметры транзистора имеют низкую точность. Один из указанных недостатков связан с тем, что для построения четырех замкнутых контуров необходимо получить большой массив измеренных отношений падающих и отраженных волн при изменении фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°, второй недостаток связан с тем, что измеряются не S-параметры транзистора, а измеряются S-параметры устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора.


Целью заявляемого способа является уменьшение времени измерения и повышение точности измерения S-параметров транзистора.


Поставленная цель достигается тем, что в известном способе измерения S-параметров, по которому выделяют падающие и отраженные от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, волны напряжений и измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°, согласно изобретению выделяют падающие и отраженные волны напряжений от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, и измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе устройства, содержащего держатель транзистора и собственно транзистор, для двух значений разности фаз между падающими волнами, затем транзистор удаляют из устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора, полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров транзистора и определяют S-параметры транзистора.


Работа заявляемого способа поясняется структурной электрической схемой устройства, представленной на чертеже.


Способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме, по которому выделяют падающие и отраженные волны напряжений от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0-360°, отличающийся тем, что при помощи 12-полюсных рефлектометров измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе упомянутого устройства для двух значений разности фаз между падающими волнами, затем транзистор удаляют из упомянутого устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора, далее из схемы удаляют держатель транзистора, измеряют комплексные коэффициенты отражения выходов 12-полюсных рефлектометров и отношение падающих волн напряжений генератора, полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров испытуемого транзистора и определяют S-параметры данного транзистора.

Кол-во просмотров: 11601
На правах рекламы