ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Опубликована деловая программа XI Международного форума «Антиконтрафакт-2023»

5-6 октября в Санкт-Петербурге на площадке Президентской библиотеки состоится XI Международный форум «Антиконтрафакт-2023». Основными векторами деловой программы станут развитие цифровой маркировки на территории стран ЕАЭС, обмен опытом по внедрению такой системы в различных товарных группах, ее эффективность и возможности дальнейшего развития. «Борьба с контрафактом требует совместных усили...

Минпромторг России подготовил изменения в Правила предоставления субсидий по программе льготного лизинга

Минпромторг России подготовил проект постановления, вносящий изменения в Правила предоставления субсидий из федерального бюджета на возмещение потерь в доходах российских лизинговых организаций при предоставлении лизингополучателю скидки по уплате авансового платежа по договорам лизинга колёсных транспортных средств, ранее утверждённых постановлением Правительства Российской Федерации от 8 мая 202...

В декабре планируется начать эксперимент по маркировке отдельных видов товаров для детей

С 1 декабря 2023 года планируется провести эксперимент по маркировке средствами идентификации отдельных видов детских товаров. Он продлится до 1 декабря 2024 года и обеспечит создание условий для защиты интересов потребителей такой продукции – детей, а также законопослушных участников оборота такой продукции и апробацию технологии маркировки детских товаров средствами идентификации. Соответс...

Международный форум инноваций БРИКС пройдет в Москве с 27 по 29 августа

Его участники обсудят, как современные технологии помогают повышать качество жизни и создавать комфортную цифровую среду в мегаполисе. В рамках Московского урбанистического форума в столице состоится Международный форум инноваций БРИКС . Он пройдет с 27 по 29 августа в концертном зале «Зарядье». Об этом сообщила Наталья Сергунина , заместитель Мэра Москвы. В мероприятии примут участие главы ...

Актуализированы Правила предоставления субсидий отечественным производителям высокопроизводительной самоходной и прицепной техники

Правительством Российской Федерации приняты изменения в Правила предоставления субсидий из федерального бюджета российским производителям на компенсацию части затрат, связанных с выпуском и поддержкой гарантийных обязательств в отношении высокопроизводительной самоходной и прицепной техники (ранее утверждённых постановлением Правительства Российской Федерации от 10.02.2018 №146). Подписано соответ...

В Санкт-Петербурге состоится XI Международный форум «Антиконтрафакт»

5-6 октября в Санкт-Петербурге состоится XI Международный форум «Антиконтрафакт-2023», посвященный вопросам защиты рынков стран Евразийского экономического союза от контрафакта и фальсификата, внедрению современных цифровых механизмов, систем маркировки и прослеживаемости, обмен лучшими практиками правового регулирования в сфере стандартизации и сертификации, а также защиты прав интеллектуальной с...

6 Января 2010

Cпособ измерения s-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме.

Cпособ измерения s-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме.


Автoры: Ряcный Юрий Ваcильевич, Бoриcoв Алекcандр Ваcильевич, Лocкутoв Андрей Никoлаевич, Чашкoв Михаил Сергеевич.

Изoбретение oтнocитcя к технике измерения на СВЧ и мoжет быть иcпoльзoванo для измерения S-параметрoв паccивных и активных четырехпoлюcникoв СВЧ. Спocoб измерения S-параметрoв транзиcторов СВЧ в линейном режиме заключаетcя в cледующем: выделяют падающие и отраженные волны напряжений от уcтройcтва, cодержащего cобственно транзистор и держатель транзистора, измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°. При этом с помощью 12-полюсных рефлектометров измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе упомянутого устройства для двух значений разности фаз между падающими волнами. Затем транзистор удаляют из упомянутого устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора. Далее из схемы удаляют держатель транзистора, измеряют комплексные коэффициенты отражения выходов 12-полюсных рефлектометров и отношение падающих волн напряжений генератора. Полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров испытуемого транзистора и определяют S-параметры данного транзистора. Технический результат - уменьшение времени измерения и повышение точности измерения S-параметров транзисторов СВЧ. 1 ил.


Изобретение относится к технике измерения на СВЧ и может быть использовано для измерения S-параметров пассивных и активных четырехполюсников СВЧ.


Известен способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ [1], при котором измеряют падающие и отраженные от транзистора волны напряжений при изменении разности фаз между падающими волнами от 0° до 360° и определяют S-параметры как центры замкнутых контуров, вычерчиваемых в соответствии с уравнениями вида bi/ai=Sii+Sij(ai/ai), i, j=1, 2 и bi/aj=Sij+Sii(ai/aj), i, j=1, 2.


Недостатками известного способа является то, что процесс измерения требует длительного времени и измеренные S-параметры транзистора имеют низкую точность. Один из указанных недостатков связан с тем, что для построения четырех замкнутых контуров необходимо получить большой массив измеренных отношений падающих и отраженных волн при изменении фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°, второй недостаток связан с тем, что измеряются не S-параметры транзистора, а измеряются S-параметры устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора.


Целью заявляемого способа является уменьшение времени измерения и повышение точности измерения S-параметров транзистора.


Поставленная цель достигается тем, что в известном способе измерения S-параметров, по которому выделяют падающие и отраженные от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, волны напряжений и измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°, согласно изобретению выделяют падающие и отраженные волны напряжений от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, и измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе устройства, содержащего держатель транзистора и собственно транзистор, для двух значений разности фаз между падающими волнами, затем транзистор удаляют из устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора, полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров транзистора и определяют S-параметры транзистора.


Работа заявляемого способа поясняется структурной электрической схемой устройства, представленной на чертеже.


Способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме, по которому выделяют падающие и отраженные волны напряжений от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0-360°, отличающийся тем, что при помощи 12-полюсных рефлектометров измеряют только комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе упомянутого устройства для двух значений разности фаз между падающими волнами, затем транзистор удаляют из упомянутого устройства и измеряют комплексные коэффициенты отражения на входах коаксиально-полосковых переходов держателя транзистора, далее из схемы удаляют держатель транзистора, измеряют комплексные коэффициенты отражения выходов 12-полюсных рефлектометров и отношение падающих волн напряжений генератора, полученные системы уравнений решают относительно неизвестных S-параметров испытуемого транзистора и определяют S-параметры данного транзистора.

Кол-во просмотров: 15201
Яндекс.Метрика