ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Индустриальные строители готовы к усилению требований безопасности труда на объектах

7-я Всероссийская неделя охраны труда, которая сейчас завершается в Сочи, стала площадкой активного обсуждения обновлений действующего законодательства, в котором особое внимание уделено обучению правилам охраны труда, 27 сентября Премьер-Министр РФ Владимир Мишустин, на открытии недели обозначил рост инвестиций в безопасность труда до 18 млрд рублей. Владимир Мишустин: «Около 70% травматизм...

Алексей Лихачёв и министр внешнеэкономических связей и иностранных дел Венгрии Петер Сийярто обсудили прогресс по проекту АЭС «Пакш-2»

В рамках 66-й Генеральной конференции МАГАТЭ в Вене генеральный директор Госкорпорации «Росатом» Алексей Лихачёв и министр внешнеэкономических связей и иностранных дел Венгрии Петер Сийярто обсудили текущий статус и прогресс по проекту АЭС «Пакш-2» (Венгрия). Стороны отметили важность перехода проекта АЭС «Пакш-2» в фазу непосредственного сооружения после получения основных лицензий в конце авг...

Отечественные TLS-сертификаты доступны для установки на смартфоны, компьютеры и планшеты

На Госуслугах опубликованы инструкции по установке российских сертификатов безопасности на устройства пользователей. Такие сертификаты обеспечат доступность сайтов в любом браузере пользователям всех операционных систем. Кто еще может получить сертификат Сертификаты доступны также юридическим лицам – владельцам сайтов. Использование российского TLS-сертификата обеспечивает доступность ...

Россия осуществила важнейшую поставку оборудования для термоядерного реактора в Международную организацию ИТЭР

На площадку сооружения международного термоядерного экспериментального реактора ИТЭР во Франции отправлены первые российские гиротронные комплексы. Россия продолжает выполнение своих обязательств по натуральному вкладу в сооружение первого термоядерного реактора нового поколения. Три трейлера с уникальным российским оборудованием для термоядерной мега-установки, сооружаемой международным сообще...

О создании импортонезависимого программно-аппаратного комплекса (ПАК) для организаций и объектов критической информационной инфраструктуры (КИИ)

При участии Росатома будет создан программно-аппаратный комплекс для объектов КИИ на основе суверенной российской аппаратно-программной платформы с операционной системой «Альт» На полях форума «ИТОПК-2022» подписано соглашение Госкорпорации «Ростом», Российского федерального ядерного центра – Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», ...

В каждом регионе России созданы и функционируют штабы по борьбе с киберугрозами

На VII Восточном экономическом форуме заместитель председателя Правительства России Дмитрий Чернышенко провел сессию «Восток России 2.0! Региональные драйверы цифрового развития в новой реальности». На ней обсудили лучшие цифровые проекты регионов, импортозамещение промышленного ПО, а также кадровое развитие и переход на единую цифровую платформу «ГосТех». В мероприятии приняли участие губернат...

29 Августа 2009

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления

Автoры: Арбузoв Юрий Дмитриевич, Евдoкимoв Владимир Михайлoвич, Стребкoв Дмитрий Семенoвич, Шепoвалoва Ольга Вячеcлавoвна.

Изoбретение oтнocитcя к электрoннoй технике, а именнo к прибoрам, преoбразующим энергию электрoмагнитнoго излучения в электричеcкую, и технологии их изготовления, в чаcтноcти к полупроводниковым фотоэлектричеcким генераторам. Полупроводниковый фотоэлектричеcкий генератор cодержит подложку, полупроводниковые cлои, проcветляющее покрытие, металличеcкие контакты. При этом cоглаcно изобретению на лицевой cтороне генератора раcположено множеcтво оcажденных cлоев, образующих диодные планарные n+-р-р+ или р+-n-n+, или n-р cтруктуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области. Толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале. Также предложен способ изготовления фотоэлектрического генератора описанной выше конструкции. Изобретение обеспечивает увеличение выходного напряжения и повышение эффективности преобразования концентрированного излучения.

В способе изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора, включающем создание структуры с n-р переходом на полупроводниковой подложке, металлизацию, нанесение просветляющего покрытия, путем последовательного осаждения на лицевой стороне генератора создают множество полупроводниковых слоев толщиной 10 нм-10 мкм, образующих диодные планарные n+-р-р+ или р+-n-n+, или n-р структуры, при этом один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщины диодных структур в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале, на полученную многослойную планарную матрицу подают импульсное напряжения, пробивают обратносмещенные переходы, образуя последовательное соединенные структуры по направлению распространения излучения.

Пример конкретного выполнения.

Фотоэлектрический генератор представляет собой множество эпитаксиальных слоев толщиной 10 нм - 10 мкм, образующих планарные структуры с n+-р-р+ переходами, на полупроводниковой подложке из кремния n-типа марки КДБ 0,5(0.1) с пробитыми обратносмещенными р+-n переходами, с отражающим покрытием в виде нитрида кремния типа SixNy или Та2O5, причем последний эффективно использовать, т.к. Та2O5 имеет высокое пропускание в УФ-диапазоне, с металлическими контактами из слоев никеля-меди-олова.

Пример изготовления фотогенератора.

На подложке из кремния n-типа марки КДБ 0,5(0.1) йонно-молекулярной эпитаксией создают многослойную эпитаксиальную n-р-n- -р структуру из 2-100 структур с n-р переходами, проводя поочередно легирование бором и фосфором, при этом толщина слоев 10 нм ÷ 10 мкм.

Металлизацию осуществляют напылением в вакууме или химическим осаждением металла. Полученные заготовки шлифуют и протравливают в растворе состава HF:HNO3=1:2 при комнатной температуре в течение 10-20 секунд для снятия шунтов, тщательно промывают, сушат.

Далее на матрицы заготовки подают импульсное напряжение величиной 0,5-1,2 В на один р-n переход при емкости 1,5·10-2-10·10-2Ф и пробивают обратносмещенные переходы, создавая последовательное соединение планарных структур.

Затем на рабочей поверхности формируют просветляющее покрытие: например, покрывают при нагревании пленкой нитрида кремния типа SixNy осаждением из парогазовой фазы, содержащей моносилан и азот. Облуживают припоем ПОС-60, присоединяют токоотводы.

В результате получается конструкция фотоэлектрического генератора, представленная на фиг.1.

Формула изобретения

1. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий подложку, полупроводниковые слои р-типа и n-типа, просветляющее покрытие, металлические контакты, отличающийся тем, что на лицевой стороне генератора расположено множество осажденных слоев, образующих диодные планарные n+-р-р+, или р+-n-n+, или n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения, один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональна максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале.

2. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что просветляющее покрытие расположено также и на торцах, а рабочая поверхность, на которую поступает дополнительное излучение, расположена, по крайней мере, еще на одной поверхности генератора.

3. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем создания осаждением структуры с n-р переходом на полупроводниковой подложке, металлизации, нанесения просветляющего покрытия, отличающийся тем, что путем последовательного осаждения на лицевой стороне генератора создают множество полупроводниковых слоев толщиной 10 нм - 10 мкм, образующих диодные планарные n+-р-р+, или р+-n-n+, или n-р структуры, при этом один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, а толщины диодных структур в направлении распространения излучения обратно пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале, на полученную многослойную планарную матрицу подают импульсное напряжение, пробивают обратносмещенные переходы, образуя последовательно соединенные структуры по направлению распространения излучения.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что просветляющее покрытие наносится также и на торцевые поверхности.

5. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что множество слоев создают путем проведения последовательной эпитаксии.

Кол-во просмотров: 11160
На правах рекламы